[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明为一种半导体器件及制造方法，该方法包括：在衬底上形成第一柱状半导体层，并在位于该第一柱状半导体层下面的衬底上部形成第一平面半导体层；在该第一柱状半导体层的下部以及第一平面半导体层的全部或上部形成第一半导体层；围绕第一柱状半导体层的下侧壁以及在第一平面半导体层上方形成第一绝缘膜；围绕该第一柱状半导体层形成栅极绝缘膜和栅极电极；形成侧壁状第二绝缘膜，其围绕第一柱状半导体层的上侧壁并接触栅极电极的上表面，以及围绕栅极电极的侧壁；在第一柱状半导体层的上部形成第二半导体层，并在第一半导体层和第二半导体层之间形成半导体层；以及在第一半导体层的上表面以及第二半导体层的上表面分别形成金属半导体化合物。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上形成第一柱状半导体层，并在位于该第一柱状半导体层下面的该衬底的上部形成第一平面半导体层；在该第一柱状半导体层的下部以及该第一平面半导体层的全部或上部形成第二导电类型的第一半导体层；围绕该第一柱状半导体层的下侧壁以及在该第一平面半导体层上方形成第一绝缘膜；围绕该第一柱状半导体层形成栅极绝缘膜和栅极电极；形成侧壁状第二绝缘膜，其围绕该第一柱状半导体层的上侧壁并接触该栅极电极的上表面，以及围绕该栅极电极和该第一绝缘膜的侧壁；在该第一柱状半导体层的上部形成该第二导电类型的第二半导体层，并在该第二导电类型的该第一半导体层和该第二导电类型的该第二半导体层之间形成第一导电类型的半导体层；以及在该第二导电类型的该第一半导体层的上表面以及该第二导电类型的该第二半导体层的上表面分别形成金属半导体化合物，其中，该第一绝缘膜的厚度大于围绕该第一柱状半导体层形成的该栅极绝缘膜的厚度。