[发明专利]光掩膜的制作方法无效
| 申请号： | 201010168183.X | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN102236247A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光掩膜的制作方法，首先提供石英基板，在所述石英基板上依次形成二元硅化钼膜、铬金属膜以及光刻胶层；图案化所述光刻胶层；以所述光刻胶层为保护层，刻蚀所述铬金属膜至露出所述二元硅化钼膜；去除所述光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，刻蚀所述二元硅化钼膜至露出所述石英基板；量测硅化钼膜图案化后的铬金属膜图形的关键尺寸，并以所述铬金属膜为保护层对二元硅化钼膜进行补偿刻蚀；去除所述铬金属膜。此方法可在所述硅化钼膜刻蚀后根据硅化钼膜图形的关键尺寸与目标值的差异对硅化钼膜再次进行合适的刻蚀修复，避免了因硅化钼膜的关键尺寸未达标而直接报废光掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光掩膜的制作方法，首先提供石英基板，在所述石英基板上依次形成二元硅化钼膜、铬金属膜以及光刻胶层；图案化所述光刻胶层；以所述光刻胶层为保护层，刻蚀所述铬金属膜至露出所述二元硅化钼膜；去除所述光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，刻蚀所述二元硅化钼膜至露出所述石英基板；量测硅化钼膜图案化后的铬金属膜图形的关键尺寸，并以所述铬金属膜为保护层对二元硅化钼膜进行补偿刻蚀；去除所述铬金属膜。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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