[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器有效

专利信息
申请号: 201010168706.0 申请日: 2010-05-06
公开(公告)号: CN102237305A 公开(公告)日: 2011-11-09
发明(设计)人: 谢振宇;龙春平 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该方法中形成数据线的流程包括:沉积有源层薄膜和数据线金属薄膜;涂覆光刻胶并进行曝光显影;第一次刻蚀掉完全去除区域对应的数据线金属薄膜和有源层薄膜,在像素区域形成包括数据线、源电极和漏电极的图案;按照部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶;进行第二次湿刻,刻蚀掉部分保留区域对应的数据线金属薄膜,并进行第二次干刻,刻蚀部分保留区域对应的部分有源层薄膜,在像素区域形成有源层的图案,在接口区域形成数据线的图案;灰化光刻胶;刻蚀掉接口区域中部分保留区域对应的剩余有源层薄膜。本发明以简化高效的生产工艺制备阵列基板,且保持较小的接口区域数据线间距。
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 液晶显示器
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,包括在像素区域形成栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和像素电极图案的流程以及同时在接口区域形成栅线和数据线图案的流程,其特征在于,在所述像素区域形成数据线、有源层、源电极和漏电极的图案且同时在所述接口区域形成数据线图案的流程包括:沉积有源层薄膜和数据线金属薄膜;涂覆光刻胶,并进行曝光显影,形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案;进行第一次湿刻,刻蚀掉所述完全去除区域对应的数据线金属薄膜,并进行第一次干刻,刻蚀掉所述完全去除区域对应的有源层薄膜,在所述像素区域形成包括数据线、源电极和漏电极的图案;按照部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶;进行第二次湿刻,刻蚀掉所述部分保留区域对应的数据线金属薄膜,并进行第二次干刻,刻蚀所述部分保留区域对应的部分有源层薄膜,在所述像素区域形成有源层的图案,在所述接口区域形成数据线的图案;灰化去除剩余的光刻胶;刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的剩余有源层薄膜。
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