[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示器有效
申请号: | 201010168706.0 | 申请日: | 2010-05-06 |
公开(公告)号: | CN102237305A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 谢振宇;龙春平 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。该方法中形成数据线的流程包括:沉积有源层薄膜和数据线金属薄膜;涂覆光刻胶并进行曝光显影;第一次刻蚀掉完全去除区域对应的数据线金属薄膜和有源层薄膜,在像素区域形成包括数据线、源电极和漏电极的图案;按照部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶;进行第二次湿刻,刻蚀掉部分保留区域对应的数据线金属薄膜,并进行第二次干刻,刻蚀部分保留区域对应的部分有源层薄膜,在像素区域形成有源层的图案,在接口区域形成数据线的图案;灰化光刻胶;刻蚀掉接口区域中部分保留区域对应的剩余有源层薄膜。本发明以简化高效的生产工艺制备阵列基板,且保持较小的接口区域数据线间距。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 液晶显示器 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,包括在像素区域形成栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和像素电极图案的流程以及同时在接口区域形成栅线和数据线图案的流程,其特征在于,在所述像素区域形成数据线、有源层、源电极和漏电极的图案且同时在所述接口区域形成数据线图案的流程包括:沉积有源层薄膜和数据线金属薄膜;涂覆光刻胶,并进行曝光显影,形成包括完全保留区域、部分保留区域和完全去除区域的光刻胶图案;进行第一次湿刻,刻蚀掉所述完全去除区域对应的数据线金属薄膜,并进行第一次干刻,刻蚀掉所述完全去除区域对应的有源层薄膜,在所述像素区域形成包括数据线、源电极和漏电极的图案;按照部分保留区域的光刻胶厚度灰化去除光刻胶;进行第二次湿刻,刻蚀掉所述部分保留区域对应的数据线金属薄膜,并进行第二次干刻,刻蚀所述部分保留区域对应的部分有源层薄膜,在所述像素区域形成有源层的图案,在所述接口区域形成数据线的图案;灰化去除剩余的光刻胶;刻蚀掉所述接口区域中所述部分保留区域对应的剩余有源层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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