[发明专利]基板的制作方法及其结构无效
| 申请号： | 201010168786.X | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102237287A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 胡绍中;甘明吉;宋健民 | 申请（专利权）人： | 中国砂轮企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在基板的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一氧化层于金属基板的一表面；形成一化学阻障层于氧化层上；形成一中间层于化学阻障层上；形成一金属层于中间层上，以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层以形成一金属线路层；形成一表面金属层；以及其后再形成一芯片层于表面金属层上。此外，本发明亦可以蚀刻的方式移除部分的中间层及金属层，使金属层形成一金属线路层并使部分化学阻障层露出后；再压合一绝缘黏着层及一金属层于露出的化学阻障层上；进行蚀刻以移除部分的金属层，使金属层亦形成一金属线路层；在未移除的金属线路层表面形成一表面金属层；以及形成一芯片层于表面金属层上。本发明并提供一种根据前述方法制作的基板结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
一种基板的制作方法，包括：提供一金属基板；形成一氧化层于该金属基板的至少一表面；形成一化学阻障层于该氧化层上；形成一中间层于该化学阻障层上；形成一金属层于该中间层上；以及以一湿式蚀刻或一光罩蚀刻的方式，移除部分的该中间层及该金属层，使该金属层形成一金属线路层；其中，于该氧化层的表面包括有一封孔处理的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国砂轮企业股份有限公司，未经中国砂轮企业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010168786.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
