[发明专利]太阳能电池

摘要

本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中：硅衬底和InaGa1-aN层为n型掺杂结构，籽晶层和缓冲层出氧化锌材料制成，窗口层由p型重掺杂的氮化镓制成，减反射导电膜覆盖窗口层除正面电极外的区域。本发明能较有效地解决硅衬底外延氮化镓薄膜时遇到的晶格匹配与热膨胀系数匹配等问题，具有制作成本低和对太阳光的吸收率高等优点。

主权项

一种太阳能电池，其特征是一种硅基单结氮化镓铟太阳能电池，该电池的结构为由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中：硅衬底(1)和InaGa1-aN层(5)为n型掺杂结构，籽晶层(2)和缓冲层(3)由氧化锌材料制成，窗口层(8)由p型重掺杂的氮化镓制成，减反射导电膜(10)覆盖窗口层(8)除正面电极(9)外的区域。