[发明专利]相变存储器单元形成方法有效
| 申请号： | 201010168871.6 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102237492A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器单元形成方法，包括：提供形成有第一金属层的半导体衬底，所述半导体衬底形成有覆盖第一金属层的第一层间介质层，所述第一层间介质层表面覆盖有阻挡层和第二层间介质层，形成在第二层间介质层、阻挡层和第一层间介质层内并暴露出第一金属层的开口；在所述开口的侧壁和底部形成粘附层；采用第二金属层填满所述开口；刻蚀开口内的第二金属层与阻挡层齐平；刻蚀粘附层并使得刻蚀后的粘附层高于刻蚀后的第二金属层；采用相变材料层填满所述开口。本发明形成的相变存储器单元性能较优。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器单元形成方法，其特征在于，包括：提供形成有第一金属层的半导体衬底，所述半导体衬底形成有覆盖第一金属层的第一层间介质层，所述第一层间介质层表面覆盖有阻挡层和第二层间介质层，形成在第二层间介质层、阻挡层和第一层间介质层内并暴露出第一金属层的开口；在所述开口的侧壁和底部形成粘附层；采用第二金属层填满所述开口；刻蚀开口内的第二金属层与阻挡层齐平；刻蚀粘附层并使得刻蚀后的粘附层高于刻蚀后的第二金属层；采用相变材料层填满所述开口。
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