[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法。在该制造半导体器件的方法中，沿着划线在第一保护膜中形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽中的每个具有小于划线宽度的宽度，当用激光切片将晶片分成多个部分时第一保护膜提供在保护元件形成区的第二保护膜下方，并且第一沟槽和第二沟槽填充有第二保护膜。然后，在第一沟槽与第二沟槽之间的区域上沿着划线从形成有第二保护膜的表面执行激光切片，以形成达到多层互连的至少预定深度的切割沟槽。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：沿着划线在第一保护层中形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一保护层形成在多层互连上方，所述多层互连形成在晶片的一个表面上方，在所述晶片上方形成由多条所述划线分开的多个元件形成区，并且所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每个具有小于所述划线的宽度的宽度；在所述第一保护膜上方，形成第二保护膜，所述第二保护膜填充所述第一沟槽和所述第二沟槽并且覆盖所述第一保护膜；以及通过在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间的区域上沿着所述划线从形成有所述第二保护膜的表面执行激光切片，来形成切割沟槽，所述切割沟槽达到所述多层互连的至少预定深度。