[发明专利]闪耀凸面光栅的反应离子束蚀刻方法有效
| 申请号： | 201010169360.6 | 申请日： | 2010-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101900844A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 黄元申;张大伟;倪争技;朱冬月;徐邦联;庄松林;孙刘杰 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 宋冠群 |
| 地址： | 20009*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪耀凸面光栅的反应离子束蚀刻方法，包括以下步骤：步骤一、凸面光栅掩模石英基片的放置；步骤二、若凸面光栅掩模石英基片的球半径为R，要制成的闪耀凸面光栅的闪耀角为θ，则将离子束方向与光栅顶点处刻线所在平面成θ角；步骤三、制作蚀刻狭缝；步骤四、狭缝的放置；步骤五、蚀刻凸面光栅。本发明的技术方案是采用分段蚀刻法，也就是对槽形为正弦型的凸面光栅掩模石英基片进行分段离子束蚀刻，使得蚀刻后的闪耀凸面光栅的闪耀角理论相对误差为0.1。 | ||
| 搜索关键词： | 闪耀 凸面 光栅 反应 离子束 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种闪耀凸面光栅的反应离子束蚀刻方法，特征在于该蚀刻方法包括以下步骤：步骤一、凸面光栅掩模石英基片的放置；步骤二、若凸面光栅掩模石英基片的球半径为R，要制成的闪耀凸面光栅的闪耀角为θ，则将离子束方向与光栅顶点处刻线所在平面成θ角；步骤三、制作蚀刻狭缝；步骤四、狭缝的放置；步骤五、蚀刻凸面光栅。
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