[发明专利]氮化物半导体光学元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010170035.1 | 申请日： | 2010-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101931161A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 福田和久 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体光学元件及其制造方法。所述氮化物半导体光学元件具有：衬底；有源层(3周期多量子阱(MQW)有源层)；至少设置所述有源层的发光端面上的第一保护膜；和设置在所述第一保护膜上的第二保护膜；其中所述第一保护膜设置在构成所述发光端面的半导体与所述第二保护膜之间，且所述第一保护膜的与所述半导体直接接触的部分主要由具有金红石结构的TiO2膜构成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 光学 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体光学元件，包含：衬底；有源层，其由含有Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成，且设置在所述衬底上；第一保护膜，其至少设置在所述有源层的发光端面上；和第二保护膜，其设置在所述第一保护膜上，所述第一保护膜与构成所述发光端面的半导体接触，以及所述第一保护膜的与所述半导体接触的部分由具有金红石结构的TiO2膜构成。
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