[发明专利]高介电常数聚酰亚胺树脂基三元杂化材料及其制备方法有效
申请号: | 201010170040.2 | 申请日: | 2010-04-26 |
公开(公告)号: | CN102234423A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 陈桥;吴祯琪;吴刚 | 申请(专利权)人: | 东丽纤维研究所(中国)有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08K13/06;C08K9/02;C08K3/04;C08K5/544;C08G73/10;H01G4/18;H01G4/33 |
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地址: | 226009 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于有机/无机杂化材料领域,公开了一种具有高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料及其制备方法。该杂化材料由聚酰亚胺,氧化石墨及低聚倍半硅氧烷组成,其中聚酰亚胺所占质量份数为100,低聚倍半硅氧烷为0.1-10,氧化石墨为0.1-5。按照本发明的制备方法,能够获得具有较高介电常数、较低介电损耗的聚酰亚胺基三元杂化材料,且因无机物含量低,该杂化材料保持了聚酰亚胺基体原有的柔性及优异力学性能。本发明提供的聚酰亚胺基三元杂化材料可应用于嵌入式高容量薄膜电容器。 | ||
搜索关键词: | 介电常数 聚酰亚胺 树脂 三元 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高介电常数聚酰亚胺基三元杂化材料,其特征在于:该杂化材料的原料由如下质量份组分组成:聚酰亚胺 100氧化石墨 0.1~5低聚倍半硅氧烷 0.1~10;其中,聚酰亚胺由二酸酐单体和二胺单体组成,所述二胺单体与二酸酐单体的摩尔比为1∶1~1.20。
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