[发明专利]具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010170915.9 | 申请日： | 2010-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101840985A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;何安和;彭康伟;郑建森;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法，在永久基板上形成第二焊接金属；在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成于氧化铟锡导电层上，在分布布拉格反射层及氧化铟锡导电层的表面暴露部分形成金属反射层，在金属反射层上形成第一焊接金属；氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合；第一电极形成于氮化镓基外延层顶面，第二电极形成于永久基板底面。本发明采用分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层结构，可充分发挥反射层的优异反射性，有效地提高发光二极管的发光效率，有效地避免传统垂直发光二极管中金属反射层与其他金属电极的扩散现象。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射层 氮化 垂直 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管，其特征在于：在永久基板上形成第二焊接金属；在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层，呈网格状分布的分布布拉格反射层形成于氧化铟锡导电层上，在分布布拉格反射层及氧化铟锡导电层的表面暴露部分形成金属反射层，在金属反射层上形成第一焊接金属；氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合；第一电极形成于氮化镓基外延层顶面，第二电极形成于永久基板底面。
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