[发明专利]激发表面等离子体的纳米光刻方法无效
| 申请号： | 201010171072.4 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101846880A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李海华;王庆康;朱明轩 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体技术领域的激发表面等离子体的纳米光刻方法，首先利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板，然后在石英模板的结构上沉积一层金属膜作为掩模板，最后在基片上甩涂一层光刻胶，并采用平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基片曝光及显影。本发明利用金属膜在特定波长的光激发下可以产生表面等离子体波这一特性，将其作为曝光掩模板，采用光刻技术，得到光栅线宽为几十纳米的光刻结构，大大提高了光刻技术的分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 激发 表面 等离子体 纳米 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种激发表面等离子体的纳米光刻方法，其特征在于，包括如下具体步骤：第一步、利用电子束刻蚀方法将三角形Kretschmann棱镜结构制备成三角形光栅结构的石英模板；第二步、在石英模板的底面沉积一层金属膜作为掩模板；第三步、在基片上甩涂一层光刻胶，并采用平行紫外光透过掩模板，在近场条件下对涂有光刻胶的基片曝光及显影，实现纳米光刻。
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