[发明专利]非易失性存储装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010171478.2 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101980355A | 公开（公告）日： | 2011-02-23 |
| 发明（设计）人： | 林智伟;李宜芳;吴政达;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/115 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种非易失性(non-volatile)存储装置及其制造方法。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法包括在一半导体基底上方形成一氧化层以及对氧化层进行一第一氮化工艺步骤，以形成一第一富含氮区。第一富含氮区邻近于氧化层与半导体基底之间的一界面。在进行第一氮化工艺步骤之后，对氧化层进行一第二氮化工艺步骤，以形成一第二富含氮区。在氧化层上方形成一第一栅极电极，其中第二富含氮区邻近于氧化层与第一栅极电极之间的一界面。本发明可在不缩短产品寿命情形下增加电荷保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在一半导体基底上方形成一氧化层；对该氧化层进行一第一氮化工艺步骤，以形成一第一富含氮区，该第一富含氮区邻近于该氧化层与该半导体基底之间的一界面；在进行该第一氮化工艺步骤之后，对氧化层进行一第二氮化工艺步骤，以形成一第二富含氮区；以及在该氧化层上方形成一第一栅极电极，其中该第二富含氮区邻近于该氧化层与该第一栅极电极之间的一界面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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