[发明专利]一种在硅片上复合In2O3花状纳米结构的半导体材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201010171961.0 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101875565A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 黄雁君;郁可;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片上复合In2O3花状纳米结构的半导体材料及其制备方法，其材料包括衬底，该衬底采用硅片，其衬底表面生长有In2O3晶体；所述的In2O3晶体为带刺棒状纳米结构底部连接在一起形成的花状纳米结构，In2O3带刺棒状纳米结构长度为40～80μm，刺状纳米结构长度为0.8～4.6μm，刺状纳米结构整齐地排列在棒状纳米结构的表面上。其制备方法是以Sn粉、In2O3粉和C粉作为原料，利用热蒸发方法生长得到In2O3花状纳米结构。本发明中的花状纳米结构，表面上有大量可作为发射点的纳米尖端，可作为良好的场发射阴极材料。本发明具有成本低，重复性高等优点，可结合目前成熟的半导体硅集成电路工艺，适合于集成纳米光电子器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 复合 in sub 纳米 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅片上复合In2O3花状纳米结构的半导体材料，其特征在于：该材料包括硅片衬底及生长在该衬底表面的In2O3晶体；所述In2O3晶体为花状纳米结构，其花瓣为带刺棒状纳米结构，棒的长度为40～80μm，刺的长度为0.8～4.6μm，刺状纳米结构整齐地排列在棒状纳米结构的表面上。
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