[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010172770.6 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102244168A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，其包括一基板、一位于所述基板上缓冲层、一位于所述缓冲层上并且具有第一折射率的图案化层、一位于所述图案化层上并且具有第二折射率的半导体层以及一位于所述半导体层上的发光结构。所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的发光二极管在缓冲层上成长一具有第一折射率的图案化层，以减少成长在该图案化层上的具有第二折射率的半导体层的应力，另外由于半导体层其折射率大于所述图案化层的折射率，从而可以使发光层发出的光线在所述具有第二折射率的半导体层与所述具有第一折射率的图案化层的界面发生全反射，降低光线被基板吸收，从而提升了所述发光二极管的光取出效率。本发明还提供一种发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括一基板、一位于所述基板上缓冲层、一位于所述缓冲层上并且具有第一折射率的图案化层、一位于所述图案化层上并且具有第二折射率的半导体层以及一位于所述半导体层上的发光结构，其特征在于，所述第一折射率小于所述第二折射率。
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