[发明专利]一种钨基浸渍阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201010173502.6 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101834106A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 吴华夏;方卫;孟昭红 | 申请（专利权）人： | 安徽华东光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01J23/04 | 分类号： | H01J23/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241002 安徽省芜*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种钨基浸渍阴极，阴极基体由60～96％(重量百分比)钨粉、1～10％氧化锆粉，余量为氧化钪粉组分，基体孔隙中浸渍铝酸盐，本发明具有大发射电流密度、长寿命、较低的工作温度、高工作稳定性等优点。本发明的另一方案是提供一种工艺简单、易于操作的钨基浸渍阴极制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浸渍 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钨基浸渍阴极，包括阴极钼筒，钼筒内上部为基体，基体下部设有热子组件，其特征在于所述基体由60～96％(重量百分比)钨粉、1～10％(重量百分比)氧化锆粉，余量为氧化钪粉组分，所述基体孔隙中浸渍铝酸盐。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽华东光电技术研究所，未经安徽华东光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010173502.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片封装结构及方法
- 下一篇：降低多描述编解码冗余度的方法和装置
