[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种新的光电转换装置及其制造方法。在具有透光性的基础衬底上形成具有透光性的绝缘层、中间夹着绝缘层而固定的单晶半导体层。在单晶半导体层的表层中或表面上以带状的方式设置多个具有一种导电型的第一杂质半导体层，并且以带状的方式设置多个具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，所述第二杂质半导体层与所述第一杂质半导体层彼此不重叠地交替。设置与第一杂质半导体层接触的第一电极和与第二杂质半导体层接触的第二电极，由此实现背接触型元件，得到基础衬底一侧为受光面的光电转换装置。

主权项

一种光电转换装置，包括：具有透光性的基础衬底；所述基础衬底上具有透光性的绝缘层；所述绝缘层上的单晶半导体层；在所述单晶半导体层的表层中以带状的方式设置的多个分别具有一种导电型的第一杂质半导体层；在所述单晶半导体层的表层中的多个分别具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中所述多个第二杂质半导体层以带状的方式设置，所述多个第一杂质半导体层与所述多个第二杂质半导体层彼此不重叠地交替设置；与所述多个第一杂质半导体层接触的多个第一电极；以及与所述多个第二杂质半导体层接触的多个第二电极。