[发明专利]背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法无效
申请号: | 201010175445.5 | 申请日: | 2010-05-12 |
公开(公告)号: | CN101882636A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 朱洪亮;张兴旺;朱小宁;刘德伟;马丽;黄永光 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层,包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅,以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 光面 广谱 吸收 太阳能电池 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构,其特征在于,该结构包括:硅基衬底;在硅基衬底正面制作的陷光层;以及在硅基衬底背面制作的掺杂广谱吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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