[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010176086.5 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102255025A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴芃逸;黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括：一衬底，一缓冲层位于所述衬底上，一N型半导体层位于缓冲层上，一发光层位于N型半导体层上，一P型半导体层位于发光层上，一透明导电层位于P型半导体层上，一P型电极位于透明导电层上，以及一N型电极位于N型半导体层上，所述P型电极包括一第一P型电极以及一透明的第二P型电极。与现有技术相比，本发明发光二极管中的第二P型电极具有透光的特点，可使发光二极管发出的光线透过，因此大大提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：一衬底；一缓冲层位于所述衬底上；一N型半导体层位于缓冲层上；一发光层位于N型半导体层上；一P型半导体层位于发光层上；一透明导电层位于P型半导体层上；一P型电极位于透明导电层上；以及一N型电极位于N型半导体层上，其特征在于：所述P型电极包括一第一P型电极以及一透明的第二P型电极。
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