[发明专利]不对称半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010177469.4 | 申请日： | 2010-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101887916A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 袁骏;D·奇丹巴尔拉奥;方隼飞;尹海洲;梁玥;余晓军 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及不对称半导体器件及其制造方法。提供一种半导体结构，其包括位于高k栅极电介质的表面上的不对称栅极叠层。所述不对称栅极叠层包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分具有不同于所述第二部分的阈值电压。本发明的不对称栅极叠层的第一部分从下到上包括阈值电压调节材料和至少第一导电分隔物，而本发明的不对称栅极叠层的第二部分包括位于所述栅极电介质之上的至少第二导电分隔物。在一些实施例中，第二导电分隔物与下伏的高k栅极电介质直接接触，而在其中第一和第二导电分隔物由不同的导电材料构成的其他实施例中，第二导电分隔物的基部与阈值电压调节材料直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：位于高k栅极电介质的表面上的不对称栅极叠层，所述不对称栅极叠层包括横向地邻接第二部分的第一部分，其中所述第一部分具有不同于所述第二部分的阈值电压，并且所述第一部分从下到上包括阈值电压调节材料和至少第一导电分隔物，而所述第二部分包括位于所述栅极电介质之上的至少第二导电分隔物。
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