[发明专利]一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法有效
申请号: | 201010178097.7 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN101839699A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 谢惠民;王庆华;徐可为;王剑锋 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01B11/16 | 分类号: | G01B11/16 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 邸更岩 |
地址: | 100084 北京市10*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法,属于变形测量、光测力学领域。本发明在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅作为微纳米标记,之后通过聚焦离子束在微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹以释放轴向残余应力,分别采集裂纹刻蚀前后的微纳米标记图像,利用数字图像相关法计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于残余应力释放引起的变形,即残余变形。该方法能原位制作微纳米标记、刻蚀裂纹、并采集图像,具有原位测量、定位准确、操作简单、非接触、数据处理方便、灵敏度高、测量精度高的优点。其中提出的聚焦离子束辐照法能快速制作散斑,工艺简单便捷。 | ||
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【主权项】:
一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法,其特征在于该方法包括如下步骤:1)把沉积在基底上的微纳米金属互连线试样放置于聚焦离子束系统的平台上,选择一根微纳米金属互连线的一个区域作为研究对象;2)在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅,将散斑或单向光栅作为微纳米金属互连线上的微纳米标记;之后采集散斑或单向光栅的图像,作为裂纹刻蚀前的微纳米标记图像;3)通过聚焦离子束系统中的聚焦离子束在微纳米金属互连线上的微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹,以释放微纳米金属互连线内部的轴向残余应力,再采集裂纹刻蚀后微纳米金属互连线上的微纳米标记图像;4)在微纳米金属互连线的裂纹附近选择一个计算区域,使计算区域的一条边为裂纹的边缘,用数字图像相关法分析微纳米金属互连线上裂纹刻蚀前、后的微纳米标记图像,并计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于轴向残余应力释放而产生的变形,即为微纳米金属互连线的残余变形。
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