[发明专利]一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法有效

专利信息
申请号: 201010178097.7 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN101839699A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 谢惠民;王庆华;徐可为;王剑锋 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01B11/16 分类号: G01B11/16
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 邸更岩
地址: 100084 北京市10*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法,属于变形测量、光测力学领域。本发明在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅作为微纳米标记,之后通过聚焦离子束在微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹以释放轴向残余应力,分别采集裂纹刻蚀前后的微纳米标记图像,利用数字图像相关法计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于残余应力释放引起的变形,即残余变形。该方法能原位制作微纳米标记、刻蚀裂纹、并采集图像,具有原位测量、定位准确、操作简单、非接触、数据处理方便、灵敏度高、测量精度高的优点。其中提出的聚焦离子束辐照法能快速制作散斑,工艺简单便捷。
搜索关键词: 一种 测量 纳米 金属 互连 残余 变形 方法
【主权项】:
一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法,其特征在于该方法包括如下步骤:1)把沉积在基底上的微纳米金属互连线试样放置于聚焦离子束系统的平台上,选择一根微纳米金属互连线的一个区域作为研究对象;2)在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅,将散斑或单向光栅作为微纳米金属互连线上的微纳米标记;之后采集散斑或单向光栅的图像,作为裂纹刻蚀前的微纳米标记图像;3)通过聚焦离子束系统中的聚焦离子束在微纳米金属互连线上的微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹,以释放微纳米金属互连线内部的轴向残余应力,再采集裂纹刻蚀后微纳米金属互连线上的微纳米标记图像;4)在微纳米金属互连线的裂纹附近选择一个计算区域,使计算区域的一条边为裂纹的边缘,用数字图像相关法分析微纳米金属互连线上裂纹刻蚀前、后的微纳米标记图像,并计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于轴向残余应力释放而产生的变形,即为微纳米金属互连线的残余变形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010178097.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top