[发明专利]一种功率半导体器件

摘要

本发明公开了一种功率半导体器件，该功率半导体器件在有源区的边缘处存在哑元区，经UIS测试后，坏点的出现无规律性，且随机分布于该功率半导体器件的有源区内，这说明引入哑元区后有效地增强了功率半导体器件的雪崩特性。

主权项

一种功率半导体器件，包括多个沟槽金属氧化物半导体场效应管单元，每个单元包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，该外延层位于所述衬底的上表面，且所述外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；多个第一沟槽，位于有源区，且从所述外延层的上表面延伸入所述外延层；第二导电类型的体区，位于所述外延层的上部分；第一导电类型的源区，位于有源区，靠近所述体区的上表面，且靠近所述第一沟槽的侧壁，所述源区的多数载流子浓度高于所述外延层；哑元区，位于所述有源区的边缘，所述哑元区中不存在所述源区；至少一个第二沟槽，位于所述哑元区，从所述外延层的上表面延伸入所述外延层，用于形成至少一个哑元；第一绝缘层，覆盖所述第一沟槽和第二沟槽的内表面；栅极导电区域，填充于所述第一沟槽和第二沟槽内，且靠近所述第一绝缘层；第二绝缘层，覆盖所述外延层的上表面；多个源体接触沟槽，位于所述有源区和所述哑元区，其中，位于所述有源区的源体接触沟槽穿过所述第二绝缘层和所述源区，向下延伸入所述体区，位于所述哑元区的源体接触沟槽穿过所述第二绝缘层，向下延伸入所述体区；金属插塞，填充于所述源体接触沟槽内；源极金属，与位于源体接触沟槽中的金属插塞之间形成电学接触，以连接所述源区和体区；栅极金属连接线；漏极金属，位于所述衬底的下表面。