[发明专利]包含纳米结构化薄催化层的电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010180244.4 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN101887977A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: C·纪;M·狄奥瓜迪 申请(专利权)人: 通用汽车环球科技运作公司
主分类号: H01M4/88 分类号: H01M4/88;H01M4/94
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 曹小刚;李连涛
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及包含纳米结构化薄催化层的电极及其制备方法。具体而言,提供了将纳米结构化薄催化层从其承载基底转移到多孔转移基底并对该多孔转移基底上的该纳米结构化薄催化层的进一步处理和重构的方法。该方法包括将该纳米结构化催化层从其承载基底转移到转移基底。然后将该纳米结构化催化层进行处理和重构,包括除去残余的材料和在该转移基底上为该纳米结构化催化层添加另外的组分或层。还描述了用包括该纳米结构化薄催化层的该重构的电极制备涂覆有催化剂的膜的方法、重构的电极贴膜和涂覆有催化剂的质子交换膜。
搜索关键词: 包含 纳米 结构 催化 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
将纳米结构化薄催化层从承载基底转移到转移基底的方法,包括:提供包括在其上具有该纳米结构化薄催化层的承载基底的电催化剂贴膜,该纳米结构化薄催化层具有第一表面和第二表面,该纳米结构化薄催化层的第一表面与该承载基底相邻;提供具有相邻的粘合剂层的多孔转移基底;将该纳米结构化薄催化层的第二表面与该粘合剂层相邻粘合以形成复合结构;从该复合结构中除去该承载基底;和从该复合结构中除去该粘合剂层以形成包括该多孔转移基底和该纳米结构化薄催化层的重构电极贴膜,其中该纳米结构化薄催化层的该第二表面与该多孔转移基底相邻。
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