[发明专利]一种锗隧穿二极管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种材质更均匀，实现的隧穿器件电流密度较高的锗隧穿二极管及其制备方法，采用了简单的旋涂掺杂、金属淀积、等离子体化学气相沉积、熔体快速生长液相外延等方法，提供一种成本低廉的锗隧穿二极管制备方法。本发明的制备方法具有材料设备成本低，与现有硅工艺可兼容的优点，制备过程所用的材料及方法成本低、无毒害，所用仪器及方法均广泛用于工业界硅的大规模集成工业制造。

主权项

一种锗隧穿二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：使用低掺杂锗片为基片，采用旋涂掺杂法使基片掺杂为重掺杂n型锗片；步骤2：采用金属淀积法用铝覆盖重掺杂n型锗片的中部；步骤3：光刻后以湿法蚀刻法形成台地；步骤4：采用等离子体化学气相沉积法沉积氮化镓覆盖台地；步骤5：采用快速退火工艺，使铝及表面的锗溶解为液体，形成铝锗共镕液，上覆氮化镓作为微型坩埚使铝锗共镕液保持稳定；步骤6：快速退火后冷却，形成重掺杂p型锗，与原重掺杂n型锗形成隧穿二极管。