[发明专利]有机金属化学气相沉积机台无效
申请号: | 201010180970.6 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN102242353A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 江俊德;林明宏 | 申请(专利权)人: | 佛山市奇明光电有限公司;奇力光电科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 528237 广东省佛山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种有机金属化学气相沉积机台。此有机金属化学气相沉积机台包含反应腔体、旋转座、晶片承载盘、加热器以及喷气头。反应腔体具有开口。旋转座设于反应腔体中。晶片承载盘设于旋转座上,且旋转座可带动晶片承载盘旋转。其中,晶片承载盘包含至少二不同直径的多个承载区,设于晶片承载盘的表面上,这些承载区适用以对应装载多个晶片。加热器设于晶片承载盘下方,且位于旋转座内。喷气头覆盖在反应腔体的开口上,以朝晶片承载盘的表面上施放反应气体。本发明的有机金属化学气相沉积机台可更有效地利用晶片承载盘的使用空间,大幅提高元件的生产效率,提升产能,并可兼顾晶片承载盘的空间的利用率与大尺寸晶片的采用,从而降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 有机 金属 化学 沉积 机台 | ||
【主权项】:
一种有机金属化学气相沉积机台,包含:反应腔体,具有开口;旋转座,设于该反应腔体中;晶片承载盘,设于该旋转座上,且该旋转座可带动该晶片承载盘旋转,其中该晶片承载盘包含至少二不同直径的多个承载区,设于该晶片承载盘的表面上,该多个承载区适用以对应装载多个晶片;加热器,设于该晶片承载盘下方,且位于该旋转座内;以及喷气头,覆盖在该反应腔体的该开口上,以朝该晶片承载盘的该表面上施放反应气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的