[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201010180986.7 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102054886A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李正贤;李昌洙;马东俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0264;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：半导体基底，包括p型层和n型层；介电层，设置在半导体基底上并且包括由下面的化学式1表示的硅酸盐；第一电极，与半导体基底的p型层电连接；第二电极，与半导体基底的n型层电连接。化学式1x M2O3·y SiO2其中，M为第13族元素且x和y为实数，0＜2x＜y且x+y＝1。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：半导体基底，包括p型层和n型层；介电层，设置在所述半导体基底上并且包括由下面的化学式1表示的硅酸盐：化学式1x M2O3·y SiO2其中，M为第13族元素且x和y为实数，0＜2x＜y且x+y＝1；第一电极，与所述半导体基底的所述p型层电连接；第二电极，与所述半导体基底的所述n型层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
