[发明专利]单室反应器中制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010181242.7 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102024676A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;张迎春;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在单室反应器中制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括至少一个p-i-n结，本发明的方法在沉积i层之前，首先通入含氧气体对反应室内残留物进行反应吹扫；然后通入易与含氧气体反应的气体和/或惰性气体将所述含氧气体吹扫排出，或直接抽真空将含氧气体排出。通过上述的两步吹扫步骤，本发明的方法能够有效地降低n型掺杂剂的残留，防止对i层的交叉污染。此外，本发明的方法对p型掺杂剂的残留也具有良好效果。 | ||
| 搜索关键词： | 反应器 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种在单室反应器中制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括至少一个p‑i‑n叠层结，其特征在于：所述方法在沉积i层之前执行下列步骤：a、通入含氧气体对所述反应器内的残留物进行反应吹扫；b、将含氧残留物排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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