[发明专利]接触插塞底部轮廓的检测方法有效
| 申请号： | 201010181380.5 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102254845A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄雪青;林岱庆;何永;谢振 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种接触插塞底部轮廓的检测方法，该方法包括：提供一晶片，所述晶片包括形成有有源区的半导体基底、位于半导体基底上的第一介电层、贯穿第一介电层并与有源区电连接的接触插塞、形成于第一介电层和接触插塞上的第二介电层以及贯穿第二介电层并与接触插塞电连接的金属层；去除所述金属层和第二介电层；采用干法刻蚀的方式去除部分第一介电层；去除所述接触插塞以形成检测样片；以及采用扫描式电子显微镜检测所述检测样片。本发明可利用扫描式电子显微镜获取清晰的接触插塞底部轮廓的照片，并获得精确的检测结果。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 底部 轮廓 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种接触插塞底部轮廓的检测方法，包括：提供一晶片，该晶片包括形成有有源区的半导体基底、位于半导体基底上的第一介电层、贯穿第一介电层并与有源区电连接的接触插塞、形成于第一介电层和接触插塞上的第二介电层以及贯穿第二介电层并与接触插塞电连接的金属层；去除所述金属层和第二介电层；采用干法刻蚀的方式去除部分第一介电层；去除所述接触插塞以形成检测样片；采用扫描式电子显微镜检测所述检测样片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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