[发明专利]一种用于半导体工艺中的掩模板有效
申请号: | 201010182691.3 | 申请日: | 2010-05-24 |
公开(公告)号: | CN102262349A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 胡华勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;谢栒 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于半导体工艺中的掩模板,所述掩模板具有至少一个掩模板切割道,所述掩模板切割道内具有至少一个污染检测图案区域且所述污染检测图案区域任意一边均不超出所述掩模板切割道的边界,所述污染检测图案区域用于检测所述掩模板上的污染,所述污染检测图案区域具有多根线条,每根所述线条的两端均与所述污染检测图案区域的边界相交。利用本发明的具有污染检测图案区域的掩模板,不仅能够在线且有效地检测出掩模板上的污染,以便及时去除污染,提高半导体器件的良品率,又能降低检测污染的成本和缩短检测所耗费的时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 工艺 中的 模板 | ||
【主权项】:
一种用于半导体工艺中的掩模板,所述掩模板具有目标图案,其特征在于,所述掩模板具有至少一个掩模板切割道,所述掩模板切割道内具有至少一个污染检测图案区域且所述污染检测图案区域任意一边均不超出所述掩模板切割道的边界,所述污染检测图案区域用于检测所述掩模板上的污染,所述污染检测图案区域具有多根线条,每根所述线条的两端均与所述污染检测图案区域的边界相交。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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