[发明专利]趋近零温度系数的电压与电流产生器无效
| 申请号： | 201010182877.9 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102253683A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄俊仁 | 申请（专利权）人： | 普诚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;王璐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种趋近零温度系数的电压与电流产生器，借以提供一受温度影响较低的电压或电流。本发明的电压与电流产生器利用混合适当比例的具有负温度系数的高电阻系数的电阻，以及具有正温度系数的低电阻系数的电阻，借以产生与温度无关的组合电阻，来设计出接近零温度系数的电压与电流的产生电路。本发明利用负温度系数电阻和正温度系数电阻组合出接近零温度系数的电阻，将温度效应对带隙参考电压电路的影响降至很小以及可产生任意电位的带隙参考电压和零温度系数的参考电流。 | ||
| 搜索关键词： | 趋近 温度 系数 电压 电流 产生器 | ||
【主权项】：
一种趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，包括：一功率放大器；一第一P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的一输出端；一第一PNP型双载流子晶体管，包括一射极，该射极耦接于该功率放大器的一负输入端及该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极；一第二P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的该输出端；一组第二PNP型双载流子晶体管，该组第二PNP型双载流子晶体管的每一第二PNP型双载流子晶体管包括一射极，该每一第二PNP型双载流子晶体管的射极耦接于该功率放大器的一正输入端及该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极；一负温度系数电阻，耦接于该功率放大器的该正输入端及该每一第二PNP型双载流子晶体管的该射极之间；一第一零温度系数组合电阻，耦接于该功率放大器的该正输入端；一第三P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的该输出端；以及一第二零温度系数组合电阻，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极。
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