[发明专利]具有纳米结构插入层的GaN基LED无效
| 申请号： | 201010183393.6 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101872820A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;张书明;朱建军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：一衬底；一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；一P型层，P型层外延生长在有源层上；一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 结构 插入 gan led | ||
【主权项】：
一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：一衬底；一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；一P型层，P型层外延生长在有源层上；一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。
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