[发明专利]蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法有效

专利信息
申请号: 201010183534.4 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN101886266A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 金俸均;郑钟铉;李炳珍;洪瑄英;朴弘植;金时烈;李骐范;曹三永;金相佑;申贤哲;徐源国 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;东进世美肯株式会社
主分类号: C23F1/18 分类号: C23F1/18;C23F1/26;H01L21/28
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张英
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1%至按重量计大约30%的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1%至按重量计大约10%的无机酸、按重量计大约0.1%至按重量计大约10%的乙酸盐、按重量计大约0.01%至按重量计大约5%的含氟化合物、按重量计大约0.01%至按重量计大约5%的磺酸化合物、按重量计大约0.01%至按重量计大约2%的唑化合物、以及余量的水。这样,蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此,可以提高制造裕度,使得可以降低制造成本。
搜索关键词: 蚀刻 使用 制造 阵列 方法
【主权项】:
一种蚀刻剂,包括:按重量计大约0.1%至按重量计大约30%的过硫酸铵(NH4)2S2O8;按重量计大约0.1%至按重量计大约10%的无机酸;按重量计大约0.1%至按重量计大约10%的乙酸盐;按重量计大约0.01%至按重量计大约5%的含氟化合物;按重量计大约0.01%至按重量计大约5%的磺酸化合物;按重量计大约0.01%至按重量计大约2%的唑化合物;以及余量的水。
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