[发明专利]一种β-AgVO3纳米线硫化氢气敏材料及其用于制作气敏传感器的方法有效
| 申请号： | 201010184423.5 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101830509A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 麦立强;韩春华;高倩;徐林 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C01G31/00 | 分类号： | C01G31/00;G01N27/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 张安国 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种β-AgVO3纳米线硫化氢气敏材料及其用于制作气敏传感器的方法。β-AgVO3纳米线的直径为100～700nm、长达15～40微米。基于单根β-AgVO3纳米线的硫化氢气敏传感器的制法：以V2O5溶胶和Ag2O粉末物质的量之比为1∶1为原料，采用流变相自组装法制备得到β-AgVO3纳米线产物；用电子束刻蚀和真空蒸镀将金电极沉积到表面有一层30～100nm厚的SiO2的Si基片上；将β-AgVO3纳米线产物置于乙醇中超声分散后滴在表面有一层30～100nm厚的SiO2的Si基片上，选取分散较好的单根β-AgVO3纳米线定位在金电极上；采用聚焦离子束技术在两端电极接触点沉积一层300～600nm厚的金属Pt，即制得单根β-AgVO3纳米线的硫化氢气敏器件。本气敏传感器件，对硫化氢气体分辨率高，响应时间短，灵敏度高，选择性好，工作温度相对较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 agvo sub 纳米 硫化 氢气 材料 及其 用于 制作 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种硫化氢气敏材料，其特征在于它为β-AgVO3，具有纳米线的一维结构，直径为100～700nm、长达15～40微米。
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