[发明专利]三维纳米结构阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010184792.4 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102259832A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维纳米结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在该基底一表面形成掩膜层；采用反应性刻蚀气氛对基底进行刻蚀同时对所述掩膜层进行裁剪，形成阶梯状结构的三维纳米结构阵列；以及去除掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维纳米结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在该基底一表面形成掩膜层；采用反应性刻蚀气氛对基底进行刻蚀同时对所述掩膜层进行裁剪，形成阶梯状结构的三维纳米结构阵列；以及去除掩膜层。
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