[发明专利]半导体装置及其制造方法和使用它的电源装置无效
| 申请号： | 201010185534.8 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101931005A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 桥本贵之;平尾高志;秋山登 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H02M7/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法和使用它的电源装置。在横型功率MOSFET中，不仅抑制了单元间距的增大，还提高了耐压，降低了反馈电容和接通电阻。相对于n+型硅衬底(1)的主面(72)垂直地设置作为耐压保持区域的高电阻的n-型硅区(3)，使高电阻的n-型硅区(3)与n+型硅衬底(1)连接。另外，与高电阻的n-型硅区(3)相接地在从n+型硅衬底(1)的主面(72)到达n+型硅衬底(1)的沟槽(61)内隔着绝缘体(4)填充有导电体(5)，把上述导电体(5)与源电极(13)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 使用 电源 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有在具有第一电阻的第一导电类型的半导体衬底的主面上形成的功率MOSFET，其特征在于：上述功率MOSFET具有：在上述具有第一电阻的第一导电类型的半导体衬底的主面上形成的、具有比上述第一电阻高的第二电阻的半导体区；在上述具有第二电阻的半导体区的表面的一部分上形成的、具有比上述第一电阻高的第三电阻的第一导电类型的半导体区；在上述具有第二电阻的半导体区的表面的一部分上形成的第二导电类型的半导体区；在上述第二导电类型的半导体区的表面的一部分上形成的、具有比上述第三电阻低的第四电阻的第一导电类型的半导体区；在上述具有第二电阻的半导体区的主面上，隔着栅绝缘膜形成的栅电极；在上述具有第二电阻的半导体区的主面上，与上述栅电极隔着绝缘膜形成，且与上述具有第四电阻的第一导电类型的半导体区电连接的源电极；以及在上述具有第一电阻的第一导电类型的半导体衬底的背面上形成的漏电极；且上述具有第三电阻的第一导电类型的半导体区从上述具有第二电阻的半导体区的主面一直设置到上述具有第一电阻的第一导电类型的半导体衬底。
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