[发明专利]一种非晶C型磁芯的拼接方法无效
| 申请号： | 201010186362.6 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101866743A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张志臻 | 申请（专利权）人： | 佛山市中研非晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 詹仲国 |
| 地址： | 528241 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非晶C型磁芯的拼接方法，该拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工艺步骤，其特征在于，该拼接方法具体包括如下步骤：（1）卷制窄带磁芯：按照所需宽度的非晶C型磁芯，选取两个或以上宽度相加等于所需宽度的非晶C型磁芯；（2）成型退火，且每个磁芯单个退火；（3）将两个或以上窄带磁芯浸漆固化定型；（4）两个或以上窄带磁芯粘结叠合，粘合时两个或以上磁芯对整齐；（5）整体切割；（6）烘干整理、成品检测、包装。本发明工艺方法具有简单，操作方便，有效地解决了超宽非晶带C型磁芯难以进行拼接的问题，磁芯性能更优，且带宽窄浸漆更易渗透浸漆更充分，噪音更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型磁芯 拼接 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶C型磁芯的拼接方法，该拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工艺步骤，其特征在于，该拼接方法具体包括如下步骤：（1）、卷制窄带磁芯 ：按照所需宽度的非晶C型磁芯，选取两个或以上宽度相加等于所需宽度的非晶C型磁芯；（2）成型退火，且每个磁芯单个退火；（3） 将两个或以上窄带磁芯浸漆固化定型；（4） 两个或以上窄带磁芯粘结叠合，粘合时两个或以上磁芯对整齐；（5） 整体切割 ；（6） 烘干整理 、成品检测 、包装。
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