[发明专利]凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。采用本发明的凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，工艺过程简单，效率高，降低了生产成本。

主权项

一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，其特征在于具体步骤包括：提供一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；进行离子注入，在提供的半导体衬底内形成第一种掺杂类型的区域；淀积形成第一种绝缘薄膜；刻蚀部分所述第一种绝缘薄膜和第一种掺杂类型的区域，露出进行后续掺杂的半导体衬底区域；通过扩散工艺形成第二种掺杂类型的区域；淀积形成第二种绝缘掩膜；刻蚀形成器件的凹陷沟道区域；形成第三种绝缘薄膜；淀积形成第一种导电薄膜；刻蚀形成器件的栅极结构；剥除剩余的第一种、第二种绝缘薄膜；淀积形成第四种绝缘薄膜，并对所述第四种绝缘薄膜进行刻蚀形成通孔结构；淀积第二种导电薄膜形成电极。