[发明专利]基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器有效
| 申请号： | 201010186662.4 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101834566A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄沫 | 申请（专利权）人： | 广州市广晟微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器，本发明的方法是将两个过失真场效应管的栅极，分别通过隔直电容与各自对应的低噪声放大器输入管的漏极连接，从矢量角度分析，产生了可与低噪声放大器的放大电路的三阶交调系数矢量抵消的三阶交调系数矢量，实现了通过过失真方式提高所述低噪声放大器线性度的目的，更重要的是：该方法有效降低了过失真方法中在低噪声放大器输入管上形成的栅源寄生电容和栅漏寄生电容，从而减小了寄生电容降低放大器增益的的影响，保证了低噪声放大器噪声性能；同时，由于所述寄生电容的减少，其输入阻抗的变化不大，从而给所述低噪声放大器片外匹配电路的阻抗匹配带来方便。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 低噪声放大器 失真 方法 | ||
【主权项】：
一种基于低噪声放大器的过失真方法，其特征在于，包括：将第一过失真场效应管的栅极通过第一隔直电容与所述低噪声放大器的第一输入管的漏极连接；将第二过失真场效应管的栅极通过第二隔直电容与所述低噪声放大器的第二输入管的漏极连接。
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