[发明专利]半导体器件清洗装置及清洗方法无效
| 申请号： | 201010187362.8 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101850344A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/04 | 分类号： | B08B3/04;B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件清洗装置和清洗方法，所述装置通过增设送气单元，向第一水槽内输送气体，从而增加第一水槽内纯水的气体含量，从而使含较高气体含量的纯水与超声波发生装置结合，增加超声波清洗半导体器件的效果和效率；所述清洗方法，在纯水清洗半导体器件之前，向纯水中通入气体，从而增加超声波清洗半导体器件的效果和效率；本发明解决了超声波清洗半导体器件效率低、效果差的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件清洗装置，包括第一水槽和第二水槽，所述第一水槽上设有排气管和进水口，所述排气管上设有第一阀门，所述第一水槽和所述第二水槽之间设有第一连接管，所述第一连接管上设有第二阀门，所述第二水槽上设有进气管，所述第二水槽上还设有与工艺腔连接的第二连接管，所述第二连接管上设有第三阀门；其特征在于，所述第一水槽还连接送气单元，用于向所述第一水槽输送气体。
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