[发明专利]复合半导体器件的侧壁形成方法有效
| 申请号： | 201010187417.5 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102263062A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 匡金;祝孔维;张明敏;赵志勇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复合半导体器件的侧壁形成方法，包括：提供未形成侧壁的复合半导体器件，所述复合半导体器件至少包括第一元件区以及第二元件区，且各元件区中晶体管的栅介质层厚度各不相同；在所述复合半导体器件各元件区的表面覆盖沉积绝缘介质层；在垂直方向上对所述绝缘介质层进行第一等离子刻蚀，使得第一元件区中形成第一侧壁；在第一元件区的表面形成掩膜层；在垂直方向上对位于第二元件区表面的所述绝缘介质层进行第二等离子刻蚀，使得第二元件区中形成第二侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 半导体器件 侧壁 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种复合半导体器件的侧壁形成方法，其特征在于，包括：提供未形成侧壁的复合半导体器件，所述复合半导体器件至少包括第一元件区以及第二元件区，且各元件区中晶体管的栅介质层厚度各不相同；在所述复合半导体器件各元件区的表面覆盖沉积绝缘介质层；在垂直方向上对所述绝缘介质层进行第一等离子刻蚀，使得第一元件区中形成第一侧壁；在第一元件区的表面形成掩膜层；在垂直方向上对位于第二元件区表面的所述绝缘介质层进行第二等离子刻蚀，使得第二元件区中形成第二侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
