[发明专利]具有内含式sense FET的功率集成电路器件

摘要

本发明涉及具有内含式sense FET的功率集成电路器件，所述功率集成电路器件包括主横向高压场效应晶体管(HVFET)和邻近定位的横向sense FET，该HVFET和sense FET两者都形成在一高电阻率衬底上。检测电阻器形成于布置在该HVFET和sense FET之间的所述衬底的一区域中的阱区中。衬底寄生电阻器形成为与该HVFET的和sense FET的源极区之间的该检测电阻器并联地电连接。两个晶体管器件共用公共的漏极和栅极电极。当该主横向HVFET和sense FET处于导通状态时，在第二源极金属层处产生一电势，该电势与流过该横向HVFET的第一电流成比例。

主权项

一种功率集成电路(IC)器件，包括：具有第一导电类型的衬底；横向高压场效应晶体管(HVFET)，其包括：布置在所述衬底中的第一阱区，该第一阱区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，该第一阱区包括所述横向HVFET的扩展漏极；具有所述第二导电类型的第一漏极区，其布置在所述第一阱区中；具有所述第一导电类型的第一体区，其布置在所述衬底中，该第一体区具有第一和第二侧边缘，该第二侧边缘毗连所述第一阱区；具有所述第二导电类型的第一源极区，其接近所述第二侧边缘布置在所述第一体区内；布置在所述衬底之上的第一绝缘栅极，该第一绝缘栅极从所述第二侧边缘横向延伸到所述第一源极区；电连接到所述第一源极区的第一源极电极；电连接到所述第一漏极区的漏极电极；sense FET，其相邻于所述横向HVFET布置，所述sense FET包括：具有所述第二导电类型的第二阱区，其布置在所述衬底中，该第二阱区包括所述sense FET的扩展漏极；具有所述第二导电类型的第二漏极区，其布置在所述第二阱区中，所述漏极电极电连接到该第二漏极区；具有所述第一导电类型的第二体区，其布置在所述衬底中，所述第一体区具有第三和第四侧边缘，所述第三侧边缘毗连所述第二阱区；具有所述第二导电类型的第二源极区，其接近所述第三侧边缘布置在所述第二体区内；布置在所述衬底之上的第二绝缘栅极，该第二绝缘栅极从所述第三侧边缘横向延伸到所述第二源极区；电连接到所述第二源极区的第二源极电极；具有所述第二导电类型的第三阱区，其横向布置在介于所述第一体区和第二体区之间的所述衬底的区域中，检测电阻器形成于所述第三阱区中的间隔开的第一和第二触点区之间，所述第一源极电极电连接到所述第一触点区，所述第二源极电极电连接到所述第二触点区，其中当所述横向HVFET和所述sense FET处于导通状态时，在所述第二源极金属层处产生一电势，该电势与流过所述横向HVFET的第一电流成比例。