[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201010189492.5 | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101924092A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 小林伸行 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L23/34;G09G3/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;安翔 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件，具有：散热器板，该散热器板被保持在预定电势处；SOI(绝缘体上硅)芯片，该SOI芯片被安装在散热器板上；以及热脂，该热脂被施加到散热器板与SOI芯片之间的界面。SOI芯片，具有：第一硅衬底，该第一硅衬底形成电路元件部；第二硅衬底，该第二硅衬底面向散热器板；以及绝缘膜，该绝缘膜被形成在第一硅衬底与第二硅衬底之间。第一硅衬底和第二硅衬底被相互电连接。热脂是导电性的并且电连接第二硅衬底和散热器板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：散热器板，所述散热器板被保持在预定电势；SOI(绝缘体上硅)芯片，所述SOI芯片被安装在所述散热器板上；以及热脂，所述热脂被施加到所述散热器板与所述SOI芯片之间的界面，其中所述SOI芯片包括：第一硅衬底，所述第一硅衬底形成电路元件部；第二硅衬底，所述第二硅衬底面向所述散热器板；以及绝缘膜，所述绝缘膜被形成在所述第一硅衬底与所述第二硅衬底之间，其中，所述第一硅衬底和所述第二硅衬底被相互电连接，以及所述热脂是导电性的并且电连接所述第二硅衬底和所述散热器板。
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