[发明专利]一种高硒大豆的培植方法无效
| 申请号： | 201010189517.1 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102265742A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋新东 | 申请（专利权）人： | 蒋新东 |
| 主分类号： | A01G1/00 | 分类号： | A01G1/00;A01C21/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高硒大豆的培植方法，采用窄行密植播种法，该方法包括按通常的大豆种植时间播种、间苗、施肥的培植程序进行，缩垄增行、窄行密植，改通常的60-70厘米宽行距为40-50厘米窄行密植。将大豆专用硒肥在栽前结合整地作基肥施用，使其土肥融合，使用量因地制宜；在大豆幼苗期及初花期施用少量大豆专用硒肥。施用量一般以每亩施大豆专用硒肥7.5-10Kg为宜。追肥时先在两行大豆之间挖深度为15-20厘米的施肥沟，然后施肥覆土。本发明培植的高硒大豆不仅提高了大豆的品质，而且其因累积了含硒化合物，能得到含硒量极高的大豆，并易于控制产品含硒水平，强化和拓宽了大豆的保健功效。该方法实施简单，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大豆 培植 方法 | ||
【主权项】：
一种高硒大豆的培植方法，其特征是：采用窄行密植播种法，该方法包括按通常的大豆种植时间播种、间苗的培植程序进行，缩垄增行、窄行密植，改通常的60‑70厘米宽行距为40‑50厘米窄行密植。
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