[发明专利]一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺有效
| 申请号： | 201010189521.8 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101901771A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 沈伟鸣;丁六明;史丽英;宋旭烽;冯旭军 | 申请（专利权）人： | 江苏省宜兴电子器件总厂 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 214221 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，包括如下步骤：在陶瓷外壳的基座上待安装外引线的位置处钻通孔，通孔与外引线垂直，通孔直径小于等于外引线引脚宽度；在陶瓷基座上引线安装位置用金属化浆料印刷，形成金属化区；对通孔进行金属化；对陶瓷外壳基座进行生瓷切割，使通孔变成半圆柱槽；对陶瓷件与金属化线路进行高温共烧；将外引线与陶瓷基座利用焊料焊接在一起即可，钎焊温度为800～900℃，焊接时间1～2h。本发明在钎焊时，固态焊料熔化为液态，沿着外引线在金属化区流淌，并在半圆柱槽内形成一定的焊料堆积，因其堆积面积比现有工艺大，故采用此方法时，外引线的抗拉强度为现有的结合方式的3倍左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 外形 外壳 外引 基座 结合 工艺 | ||
【主权项】：
一种陶瓷小外形外壳的外引线与陶瓷基座的结合工艺，其特征在于，它包括如下步骤：(1)在陶瓷外壳的基座上待安装外引线的位置处钻通孔，通孔与外引线垂直；(2)在陶瓷基座上引线安装位置用金属化浆料印刷，形成金属化区；(3)对通孔进行金属化；(4)对陶瓷外壳基座进行生瓷切割，使通孔变成半圆柱槽；(5)对陶瓷件与金属化线路进行高温共烧，共烧温度为1600～1700℃，共烧时间为8～10h；(6)将外引线与陶瓷基座利用焊料焊接在一起即可，钎焊温度为800～900℃，焊接时间1～2h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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