[发明专利]具有高光萃取效率的圆台状发光二极管及其制作方法无效
申请号: | 201010190417.0 | 申请日: | 2010-05-24 |
公开(公告)号: | CN101872821A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 尹灵峰;蔡家豪;林潇雄;林素慧;郑建森 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人: | 徐东峰 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开的一种具有高光萃取效率的圆台状发光二极管及其制作方法,包括一衬底,在衬底上表面依次叠层布拉格反射层、第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层和窗口层,构成一层叠结构的晶片,晶片的外形为圆台状,在晶片的顶面连接一P电极,在晶片的底面连接一N电极;本发明将发光二极管制作成圆台状,增大全反射发生的临界角,减少由于光的全反射而带来的光损失,大大地提高侧面出光效率。此外,圆台状发光二极管的晶片,由于其截面呈圆形,所以在侧面出光时将不会发生全反射现象,即除了介质本身的吸收及两界面处不可避免的光反射而损失的光以外,不会发生全反射现象,大幅度提高LED外量子效率。 | ||
搜索关键词: | 具有 萃取 效率 圆台 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
具有高光萃取效率的圆台状发光二极管,包括一衬底,在衬底上表面依次叠层布拉格反射层、第一型磊晶层、发光层、第二型磊晶层和窗口层,构成一层叠结构的晶片,其特征在于:晶片的外形为圆台状,在晶片的顶面连接一P电极,在晶片的底面连接一N电极。
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