[发明专利]一种半导体传感器及制备方法

摘要

本发明公开一种用于紫外探测的传感器及其制备方法。本发明的半导体传感器由两个电极和位于两个电极之间的氧化锌纳米线并联集成。本发明的这种半导体传感器的制备方法是：首先在第一基片上生长出一层垂直于基片表面的氧化锌纳米线阵列，然后将氧化锌纳米线阵列转移到第二基片的表面，再将掩膜板上电极图形置于涂胶表面垂直于有取向的纳米线的两端且可盖住纳米线端部部分的位置进行曝光、显影、光刻，然后通过物理方法在光刻形成的电极区域内沉积至少一种导电金属制成电极，再将电极与纳米线从第二基片上剥离，在电极上连接导线，得到所需的器件。

主权项

一种半导体传感器，其特征是由电极和位于电极之间的氧化锌纳米线并联集成。