[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201010192156.6 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101859856A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第二半导体层的远离基底的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第二半导体层的远离基底的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。
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