[发明专利]半导体发光元件无效
| 申请号： | 201010192307.8 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901862A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 饭塚和幸;渡边优洋 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体发光元件，能实现提高光取出效率。该半导体发光元件(20)具备IIIA-VA族化合物半导体层(21)的第二主表面侧形成金属反射膜(10)，半导体层(21)与支撑衬底(11)隔着金属反射膜(10)被接合，在半导体层(21)第一主表面上形成表面电极(13)，金属反射膜(10)在表面电极(13)的正下方以外的区域配置有欧姆接触接合部(9)，表面电极(13)具有表面侧接触部以及透明介电体反射部，半导体发光元件(20)的一边为320μm以下，表面电极(13)由多边形或圆形形成，表面电极(13)的外周长度为235μm～700μm，欧姆接触接合部配置于发光元件的外周部侧，欧姆接触接合部(9)以包围表面电极(13)、以从表面电极(13)的外缘部的各位置至最近的欧姆接触接合部(9)的距离相等的方式而配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，具备具有发光层的IIIA-VA族化合物半导体层，在所述IIIA-VA族化合物半导体层的第一主表面侧形成光取出面，在第二主表面侧形成金属反射膜，将来自所述发光层的光反射至所述光取出面侧，所述IIIA-VA族化合物半导体层与支撑衬底隔着所述金属反射膜而被接合，所述IIIA-VA族化合物半导体层的第一主表面上具有表面电极，所述金属反射膜的上述IIIA-VA族化合物半导体层侧的面的一部分上在所述表面电极的正下方以外的区域配置有欧姆接触接合部，其特征在于，在所述表面电极的所述IIIA-VA族化合物半导体层侧，形成有在IIIA-VA族化合物半导体层上形成的表面侧接触部以及透明介电体反射部，所述半导体发光元件为边长320μm以下的四边形，所述表面电极由多边形或圆形形成，所述表面电极的外周的长度为235μm以上、700μm以下，所述欧姆接触接合部配置于所述半导体发光元件的外周部侧，从所述表面电极侧看所述欧姆接触接合部时，所述欧姆接触接合部以包围上述表面电极的方式而形成，且以从所述表面电极的外缘部的各位置至最近的所述欧姆接触接合部的距离相等的方式而配置。
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