[发明专利]双镶嵌结构的制造方法无效
| 申请号： | 201010192417.4 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270601A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;周俊卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双镶嵌结构的制造方法，该双镶嵌结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成阻挡层和介质层；刻蚀介质层形成通孔，所述通孔暴露阻挡层表面；在通孔侧壁形成通孔侧墙；在通孔内以及介质层上形成填充层，所述填充层填满通孔；刻蚀部分填充层和部分介质层形成沟槽，沟槽的位置与通孔的位置对应；刻蚀剩余的填充层和通孔内的阻挡层，直至暴露半导体衬底；去除所述通孔侧墙；在通孔和沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构。本发明在通孔侧壁上形成通孔侧墙，所述通孔侧墙可避免在通孔侧壁上生成难溶的高分子聚合物，有利于提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和介质层；刻蚀所述介质层形成通孔，所述通孔暴露所述阻挡层表面；在所述通孔侧壁形成通孔侧墙；在所述通孔内以及所述介质层上形成填充层，所述填充层填满所述通孔；刻蚀部分填充层和部分介质层形成沟槽，沟槽的位置与通孔的位置对应；刻蚀剩余的填充层和通孔内的阻挡层，直至暴露所述半导体衬底；去除所述通孔侧墙；在所述通孔和所述沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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