[发明专利]一种遮挡晶片制备方法无效
| 申请号： | 201010192459.8 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270579A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王燕军;李杰;蒙韬;朱佳娜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种遮挡晶片制备方法，包括以下步骤：提供一遮挡晶片基底；将所述遮挡晶片基底放置于晶舟上，通过化学气相沉积法在所述遮挡晶片基底上沉积第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层上再分多次沉积多层氮化硅层，使得所述遮挡晶片基底上沉积的氮化硅层的层数≥2，且在每次沉积新一层的氮化硅层前时均使所述晶舟上的遮挡晶片旋转一定的角度，使得沉积前一氮化硅层时遮挡晶片上得到晶舟上支点支撑的位置处暴露出来。本发明方法可有效避免在遮挡晶片上累积沉积的多晶硅层因其下的氮化硅层的不平整而产生应力差，最终导致多晶硅层上有脱落颗粒掉至产品晶片上，影响产品晶片良率的问题。同时提高遮挡晶片的重复利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 遮挡 晶片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种遮挡晶片制备方法，包括以下步骤：提供一遮挡晶片基底；将所述遮挡晶片基底放置于晶舟上，通过化学气相沉积法在所述遮挡晶片基底上沉积第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层上再至少一次沉积多层氮化硅层，使得所述遮挡晶片基底上沉积的氮化硅层的层数≥2，且在每次沉积新一层的氮化硅层前均使所述晶舟上的遮挡晶片旋转一定的角度，使得沉积前一氮化硅层时遮挡晶片上得到晶舟上支点支撑的位置处暴露出来。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010192459.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
